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純水電導率是多少,純水水質(zhì)標準是多少?
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發(fā)布日期:2018-01-05
國內首家水處理技術(shù)資料免費分享平臺-水處理之家網(wǎng),精心編輯整理關(guān)于純水電導率的相關(guān)技術(shù)資料,包括純水電導率的概念、電導率值 、各種純水水質(zhì)標準、 純水電導率檢測方法。 一、純水電導率概念 我們知道水的導電性能,與水的電阻值大小有關(guān),電阻值大,導電性能差,電阻值小,導電性能就良好。根據歐姆定律,在水溫一定的情況下,水的電阻值R大小與電極的垂直截面積F成反比,與電極之間的距離L成正比: R=ρ&#183;L/F 式中ρ為電阻率,或稱(chēng)比電阻。電阻的單位為歐姆(歐,代號Ω),或用微歐(μΩ),1Ω等于106μΩ電阻率的國際制(SI)單位為歐米(Ω&#183;M)。 如果電極的截面積F做成1CM2,那么電阻值就等于電阻率。 水的電阻率的大小,與水中含鹽量的多少,水中離子濃度、離子的電荷數以及離子的運動(dòng)速度有關(guān)。因此,純水電率很大,超純水電阻率就更大,也就說(shuō)水越純,電阻率越大。 二、純水電阻率概念 由于水中含有各種溶解鹽類(lèi),并以離子的形態(tài)存在。當水中插入一對電極時(shí),通電之后,在電場(chǎng)的作用下,帶電的離子就產(chǎn)生一定方向的移動(dòng),水中陰離子移向陽(yáng)極,陽(yáng)離子移向陰極,使水溶液起導電作用。水的導電能力的強弱程程度,就稱(chēng)為電導度S(或稱(chēng)電導)。電導度反映了水中含鹽量的多少,是水的純凈程度的一個(gè)重要指標。水越純凈,含鹽量越少,電阻越大,電導度越小。超純水幾乎不能導電。電導的大小等于電阻的倒數,即:S=1/R 。 三、純水的電導率是多少 即使在純水中也存在著(zhù)H+和OH-兩種離子,經(jīng)常說(shuō),純水是電的不良導體,但是嚴格地說(shuō)水仍是一種很弱的電解質(zhì),它存在如下的電離平衡:H2O←→H++OH或2H2O←→H3+O+OH-其平衡常數:KW=[H+].[OH-]/H2O=10-14式中KW稱(chēng)為水的離子積[H+]2=[OH-]2=10-14∴[H+]2=[OH-]2=10-7lH2O,0=λOH-,0=349.82+198.6=548.42S/cm.mol2已知水的密度d25℃/H2O=0.9970781cm3 故原有假設為1的水分離子濃度只能達到0.99707。實(shí)際上是僅0.99707份額的水離解成0.99707.10-7的[H+]和[OH-],那么離解后的[H+]和[OH-]電導率的總和KH2O用下式求出:KH2O=CM/1000λH2O=(0.99707.10-7/1000).548.42=0.05468μS.cm-1≈0.054μS.cm-1∴ρH2O=1/KH2O=1/0.05468×10-9=18.29(MΩ.cm)≈18.3(MΩ.cm) 由水的離子積為10-14可推算出理論上的高純水的極限電導為0.0547μS*cm-1,電阻為18.3MΩ.cm(25℃)。 水的電導率的溫度系數在不同電導率范圍有不同的溫度系數。對于常用的1μS*cm-1的蒸餾水而言大約為+2.5%-1。 四、各種純水水質(zhì)標準 純水分為:工業(yè)純水和飲用純水 工業(yè)純水水質(zhì)標準:在25攝氏度中,普通純水:EC=1~10us/cm;高純水:EC=0.1~1.0us/cm;超純水:EC=0.1~0.055; 制藥用純化水水質(zhì)標準:電導率 ≤2μS/cm (電阻率≥0.5 MΩ.CM),(2010版藥典標準) 飲用純水水質(zhì)標準:EC=1~10 us/cm(國家標準) 五、純水電導率檢測方法 純化水設備在線(xiàn)電導率與與溫度、PH值都密切相關(guān)。所以在測量電導率的時(shí)候需要充分考慮到溫度與PH值的情況。電導率的詳細測量方法如下: (1)使用在線(xiàn)或離線(xiàn)電導率儀,記錄測定溫度。在表1中,測定溫度對應的電導率值即為限度值。如測定溫度未在表1中列出,則應采用線(xiàn)性?xún)炔宸ㄓ嬎愕玫较薅戎?。如測定的電導率值不大于限度值,則判為符合規定;如測定的電導率值大于限度值,則判為不符合規定。 純化水設備在線(xiàn)電導率與與溫度、PH值都密切相關(guān)。所以在測量電導率的時(shí)候需要充分考慮到溫度與PH值的情況。電導率的詳細測量方法如下: (1)使用在線(xiàn)或離線(xiàn)電導率儀,記錄測定溫度。在表1中,測定溫度對應的電導率值即為限度值。如測定溫度未在表1中列出,則應采用線(xiàn)性?xún)炔宸ㄓ嬎愕玫较薅戎?。如測定的電導率值不大于限度值,則判為符合規定;如測定的電導率值大于限度值,則判為不符合規定。 超大型半導體晶片生產(chǎn)用超純水設備系統設計方案 超純水設備系統在半導體晶片制造過(guò)程中重起到至關(guān)重要的作用。在一個(gè)生產(chǎn)周期內,一個(gè)晶片與超純水的接觸超過(guò)35次,在任何一個(gè)環(huán)節發(fā)生供水中斷或者水質(zhì)不合格都會(huì )影響晶片的質(zhì)量,甚至導致產(chǎn)品的報廢。水處理之家網(wǎng)認為,穩定可靠的超純水設備系統是保障高品質(zhì)半導體晶片可持續生產(chǎn)的關(guān)鍵。 一、半導體晶片超純水設備系統簡(jiǎn)介 本方案以半導體晶片生產(chǎn)用超純水設備系統為案例,詳細講解205T/H的超大型超純水設備系統設計特點(diǎn)、工藝流程、超純水供水網(wǎng)管設計等。 對于原水中的各種雜質(zhì),可以選用的去除方式多種多樣,每一種凈化設備基于不同的凈化原理,對各種雜質(zhì)的去除效率各不相同,甚至某些設備在去除特定雜質(zhì)的同時(shí)會(huì )引起其他雜質(zhì)數值的上升。超純水設備系統設計的過(guò)程就是在滿(mǎn)足水質(zhì)要求的前提下尋找一個(gè)投資與操作最優(yōu)化的凈化設備組合方案的過(guò)程。不同凈化設備對各種雜質(zhì)的去除效率。對超純水水質(zhì)的指標要求: 項目 單位 指標 25℃ 時(shí)電阻率 MQ.Cm 18.2 總有機碳TOC DDb 1 溶氧DO DDb <1 二氧化硅Si0 DDt <0.1 細菌 個(gè)/L 0 顆粒0.01μm 個(gè)/L <20 顆粒0.O5 m 個(gè)/L <200 金屬離子 DDt <5 陰離子 DDt <10 溫度 ℃ 22±2 二、半導體晶片超純水設備系統設計特點(diǎn) 典型的超純水設備系統流程可分為三大部分:預處理、初級制水、精制水。在全球水資源日益匱乏的今日,超純水的回收再利用已經(jīng)成為超純水設備系統設計必不可缺的一部分。一般而言,經(jīng)工藝機臺使用的超純水除了PH值,電導率,TOC等指標較差外,大部分指標都優(yōu)于市政供水,只要有針對性地設計一些凈化設備,完全可以將超過(guò)70%的超純水供水回收再利用,達到節水環(huán)保的目的。當然,回收率越高,其設備投資及操作運行成本也越高。本系統的流程設計充分考慮到工程水質(zhì)要求高,水量超過(guò)250噸小時(shí)的特點(diǎn),各部分的設計兼顧經(jīng)濟性和可操作性,巧妙地將超純水回收利用系統融合于制備系統。 三、半導體晶片超純水設備系統工藝流程 自來(lái)水—加藥—多介質(zhì)過(guò)濾器—常壓脫氣塔—換熱器—10μm過(guò)濾器—一級反滲透 —預處理水箱—活性炭過(guò)濾器—離子交換器—去離子水箱—紫外線(xiàn)殺菌燈—1μm過(guò)濾器—二級反滲透—中間水箱—去有機物紫外線(xiàn)—混床—0.45μm過(guò)濾器—膜脫氣裝置—純水設備—冷卻箱—去有機物紫外線(xiàn)—拋光床—超濾系統—輸送管網(wǎng)—用水點(diǎn) 四、半導體晶片超純水設備系統設計方案 預處理: 1.PAC、NaCl0加藥:絮凝劑PAC有助于原水中的膠體粒子和懸浮固體凝集成易被多介質(zhì)過(guò)濾器的大基團,而NaCl0具有殺菌,分解有機物的作用。 2.多介質(zhì)過(guò)濾器:去除原水中經(jīng)絮凝的膠體粒子和懸浮固體,可通過(guò)反沖洗再生。H,S0 加藥,常壓脫氣塔:加H,S0 可將原水中的HC0 一生成C02在常壓脫氣塔中脫除,常壓脫氣塔是針對本工程大水量的特點(diǎn)而設計的,可以提高真空膜脫氣的除氧效率,減少昂貴的脫氣膜組的使用量。 3.熱交換器:在冬季原水水溫較低時(shí)使用熱交換器加熱反滲透進(jìn)水以提高反滲透系統的除鹽率,保證出水水質(zhì)。 4.10 u m預過(guò)濾器:過(guò)濾顆粒雜質(zhì),保護反滲透膜。 5.一級反滲透:反滲透對除了溶解氣體以外的大部分雜質(zhì)都有較好的脫除效果。不同材質(zhì)的反滲透膜操作條件不同,脫除雜質(zhì)的效率也不同。醋酸纖維(CA)膜。醋酸纖維(CA)膜脫除率比復合(TFC)膜低,本設計用于一級反滲透,作為預處理階段去除大量離子等雜質(zhì)之用。反滲透膜需定期加藥清洗以去除表面污染及結垢,保證反滲透效率并延長(cháng)膜的壽命。 6.預處理水箱:儲存一級反滲透產(chǎn)水,收集工藝機臺使用過(guò)的回收純水。 7.活性炭過(guò)濾器:表面具有無(wú)數10—10 A微孔的活性炭吸附預處理水尤其是回收純水中的有機物,并通過(guò)反沖洗再生。 8.離子交換塔:離子交換塔包括陽(yáng)離子樹(shù)脂床和陰離子樹(shù)脂床,主要為去除回收純水中的各種陰陽(yáng)離子,降低電導率而設計,同時(shí)可進(jìn)一步純化預處理水,保證水質(zhì)離子交換樹(shù)脂定時(shí)用酸堿再生后可反復使用。 初級制水: 1.去離子水箱:儲存去離子水,調節和平衡預處理系統和初級制水系統的運行。 2.紫外線(xiàn)殺菌:波長(cháng)254nm的紫外線(xiàn)燈可達到殺菌的作用。 3.1um過(guò)濾器:過(guò)濾顆粒雜質(zhì),保護反滲透膜。 4.二級反滲透: 采用復合(TFC)膜的二級反滲透可去除高達95% 以上的各種離子和有機物。 5.中間水箱:儲存二級反滲透產(chǎn)水,充普通氮氣,隔絕空氣,以保護水質(zhì)不受污染。 6.去有機物紫外線(xiàn): 波長(cháng)1 85mm 的紫外線(xiàn)燈可分解有機物至二氧化碳和水。 7.混床:不同于離子交換塔中陰陽(yáng)離子樹(shù)脂,混床中使用的樹(shù)脂可以在較低的離子濃度下獲得很好的脫除效率,混床出水電阻率已達1 7M Q.cm以上,接近超純水電阻率要求。 8.0.45um過(guò)濾器:去除去離子水中的顆粒雜質(zhì),并捕捉水中可能帶出的破碎的混床樹(shù)脂微粒,以保護膜脫氣裝置的脫氣膜不受損害。 9.膜脫氣裝置:加真空氮氣吹掃的膜脫氣裝置可保證產(chǎn)水中溶氧達到小于lppb的要求,與早期的真空氮氣吹掃的填料塔相比,具有脫氣率高,占空間小,節省氮氣的優(yōu)點(diǎn)。 精制水: 精制水處理段是一個(gè)循環(huán)系統,經(jīng)純水箱到各級處理設備,合格的超純水由供水管網(wǎng)送至用戶(hù)點(diǎn),未經(jīng)使用的超純水由回水管網(wǎng)送回純水箱,重新精制處理,以保證超純水品質(zhì)。 1.純水箱:儲存初級制水的產(chǎn)水也回收未經(jīng)使用的回水,經(jīng)純化的工藝氮氣保護水質(zhì)不受污染。 2.冷卻器:夏季高溫時(shí)市政水供水溫度有可能高于工藝要求的超純水溫度,另外,精制水的循環(huán)運行也會(huì )引起水溫的升高,使用冷卻器可保證水溫達到要求。 3.去有機物紫外線(xiàn):循環(huán)運行的超純水會(huì )造成有機物和細菌數的升高,使用波長(cháng)185nm的紫外線(xiàn)燈可保證TOC小于lppb的要求。 4.拋光床:使用不再生樹(shù)脂的拋光床可以有效去除純水中的各種濃度極低的離子,達到離子濃度小于1 0ppt、電阻率大于18.2M Q.cm的品質(zhì)要求。 5.超濾系統:作為精制水也是整個(gè)超純水設備系統最后把關(guān)的設備,超濾系統可去除超純水中可能出現的各種極細顆粒和死菌,達到每升水中0.05 u m顆粒小于200個(gè)的要求。 五、半導體晶片超純水設備系統供水管網(wǎng)設計特點(diǎn) 一個(gè)完整的超純水設備系統的設計除了生產(chǎn)流程外,供水管網(wǎng)的設計也必不可少。管網(wǎng)的設計既要滿(mǎn)足工藝使用點(diǎn)的流量和壓力要求,更要保證生產(chǎn)出的超純水在經(jīng)過(guò)管網(wǎng)的分配輸送后品質(zhì)不受污染。本設計根據水質(zhì)要求采用以下措施保證超純水在工藝使用點(diǎn)的品質(zhì): 1.選用HP—PVDF(高純度聚偏二氟乙烯)的管材和閥門(mén)管件,采用紅外線(xiàn)熱融連接,盡可能避免管道材料中的雜質(zhì)溶出污染水質(zhì)。 2.供水主管路流速控制在1.2~2.4m/s,回水主管路流速控制在~1m/s,減少超純水在循環(huán)管網(wǎng)內的停留時(shí)間,抑制有機物和細菌數的升高。 3.避免出現流體死角滋生細菌??赡墚a(chǎn)生流體死角的長(cháng)度不得超過(guò)后段管道直徑的1.5倍。設計中選用隔膜閥既便于調節流量,又可避免出現流體死角;選用異徑三通代替等徑三通加異徑管也是一項有效措施。 4.在每一路支管的根部設計殺菌消毒接口和排放口,可以在某一路支管受到污染時(shí)及時(shí)處理,避免影響整個(gè)管網(wǎng)。殺菌消毒可選用臭氧或雙氧水。早期設計的管網(wǎng)一般為一供一回形式,見(jiàn)圖2,在實(shí)際操作運行過(guò)程中發(fā)現供水的流量和壓力較難調節,容易出現管網(wǎng)近端大量用水時(shí)遠端工藝使用點(diǎn)的流量和壓力難以保證的情況。在本設計中采用壓力回水的方式可有效防止上述情形的發(fā)生。
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